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FF150R12RT4原装infineon英飞凌IGBT功率模块,具有快速沟槽/场截止 IGBT4 和发射极控制 4 二极管的 34mm 模块 34mm 模块，带快速沟槽/场截止 IGBT4 和发射极控制 4 二极管
日期：2024-7-17
具有快速沟槽/场截止 IGBT4 和发射极控制 4 二极管的 34mm 模块
34mm 模块，带快速沟槽/场截止 IGBT4 和发射极控制 4 二极管
初步数据
电压=1200V
IC 标称 = 150A / ICRM = 300A
典型应用 典型应用
•高开关频率应用 高频开关应用
•电机驱动器 电机驱动器
•UPS 系统 UPS 系统
电气特性 电气特性
•扩展结温 Tvj op 扩展工作温度 Tvj op
•低开关损耗 低开关损耗
•低VCEsat 低VCEsat
•Tvj 操作 = 150°C Tvj 操作 = 150°C
•具有正温度系数的VCEsat 具有正温度系数的VCEsat
机械性能 机械特性
•绝缘底板 隔离底板
•标准外壳 标准外壳
| Hochstzulassige Werte /Maximum Rated Values | |||||||
| Kollektor-Emitter-Sperrspannung Collector-emitter voltage 电极-发射极电压 集电极连 |
TM=25°℃ | VcE₈ | 1200 | V | |||
| Kollektor-Dauergleichstrom Continuous DC collector cument 续直流电 连续直流集电极电 |
Tc=100°C,Twmax=175℃ | cnam | 150 | A | |||
| Periodischer Kollektor-Spizenstrom Repetitive peak collector current 流 周期性集电极峰值电 |
te=1ms | c=M | 300 | A | |||
| Gesamt-Verdustleistung Total power dissipation 流 重复峰值集电极电流 |
Tc=255C,Twmax=175°℃ | Pa | 790 | W | |||
| Gate-Emitter-Spitzenspannung Gate-emitter peakvoltage 射极峰值电压 栅极-发射极峰值电压 总蒸发性能 总功耗 栅极-发 |
VcEa | +-20 | V | ||||
| Charakteristische Werte /Characteristic Values | min typ maX | ||||||
| Kollektor-Emitter-Sattigungsspannung Collector-emitter saturation voltage 集电极-发射极饱和电压 |
lo=150 A,VGE=15V e=150A,Vg==15V lc=150A,VG==15V |
T=25°C T=125°0 T=150C |
VoE | 1.75 2.05 2,10 |
215 | V V V |
|
| Gate-Schwellenspannung Gatethreshold voltage 栅极阈值电压 |
le=5,30 mA,Vcε=VceT=25°℃ | Veem | 52 | 58 | 64 | V | |
| Gateladung Gatecharge 登机 |
Vae=-15V_+15V | Qe | 125 | μC | |||
| Intemer Gatewiderstand Intemal gate resistor 内部栅极电阻 |
Tu=25℃ | Rant | 50 | 0 | |||
| Eingangskapazita nput capacitance 输入容量 输入电容 |
f=1 MHz,Tu=25°℃,Vc==25V,Ve==0V | Ce | 935 | nF | |||
| Ruckwirkungskapazitat Reverse transfercapacitance 反向传输电容反向传输电容
|
f=1 MHz,Ty=25°℃,VcE=25V,Ve==0V | C | 35 | nF | |||
| Kollektor-Emitter-Reststrom Collector-emitter cut-off cument 集电极-发射极截止电流 |
Vo=1200V,VcE=0V,Ty=255C | cEE | 10 | mA | |||
| Gate-Emitter-Reststrom Gate-emitter leakage cument 栅极-发射极漏电流 |
Vcs=0V,VcE=20V,Ty=255C | cEs | 100 | nA | |||
| Einschaltverzōgerungszeit,induktive Last Tum-on delay time,inductive load 接通延迟时间，感性负载 启动延迟时间，感性负载 |
e=150A,Vcs=600V Va==±15V Rean=1,10 |
Tg=25°C T=1255C T=150C |
tcn | 0,13 0.15 0.15 |
μs μs μs |
||
| Anstiegszeit,induktive Last Rise time,inductive load 上升时间，感性负载 |
e=150A,Vc==600V Vas=±15V Roon=1.10 |
T=25°C T=1255C Tg=150℃ |
t | 0.02 0.03 0.035 |
μs μs μS |
||
| Abschaltverzōgerungszeit,induktiveLast Tum-off delay time,inductive load 关断延迟时间，感性负载 |
e=150A,Vcs=600V Vas=±15V Rear=1,1Q |
T=25°C T=1255C T=150℃ |
aom | 0.30 0.38 0.40 |
μs μs μs |
||
| Fallzeit,induktive Last Fall time,inductive load 下降时间，电感负载 上次 |
le=150A,Voε=600V Vas=±15V Ro=1.10 |
Tg=25°C T=125°℃ T=150°C |
t | 0.045 0.08 0.09 |
μs μs μs |
||
| Einschaltvelustenergiepro Puls Tum-on energy loss per pulse 每个脉冲的开启能量损耗 |
le=150A,Vc==600V,Lg=30 nH T=25°C Va==±15V,didt=3400 Alμs(T=150C)Tj=125°℃ Rean=1,10 T=150C |
Eam | 8,50 13.5 15.0 |
mJ mJ mJ |
|||
| Abschaltverlustenergie pro Puls Tum-offenergy lossper pulse 每个脉冲的关断损耗能量 |
Eam | 8.50 13.5 15,5 |
mJ mJ mJ |
||||
| KurzschluBverhalten SC data 短路行为 SC数据 |
Vas≤15V,Voo=800V VoEmex=Vo=a-Lscs-dildt |
t≤10 μs.T=1501℃ | ec | 600 | A | ||
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IGBT原理与基础知识
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